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GOS

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基于Gd2O2S:Pr:Ce陶瓷閃爍體在將X射線轉(zhuǎn)換為光線方面具有很高的效率,其衰減時(shí)間(t1 / 10 = 5.5 us)短得足以允許以1 ms的間隔重復(fù)成像,磷光低, 輻射穩(wěn)定性高。 由于這些特性的組合,它們已廣泛用于醫(yī)學(xué)計(jì)算機(jī)斷層掃描中。 Gd2O2S 由于其寬的間隙(4.6-4.8eV),高化學(xué)穩(wěn)定性和高密度,還可以生產(chǎn)用于彩色電視顯像管,醫(yī)療成像設(shè)備和上轉(zhuǎn)換發(fā)光的磷光體和閃爍陶瓷。 當(dāng)前的GOS閃爍陶瓷作為用于X射線CT探測(cè)器應(yīng)用的閃爍體材料非常有前途。

特點(diǎn) 應(yīng)用
  • 發(fā)光效率高
  • 低余輝
  • 高光輸出
  • X射線吸收效率高
  • X射線CT
  • X射線顯微
  • 激光材料

材料特性

性質(zhì)價(jià)值
材料Ge2O2S
密度 (g/cm3)7.34
晶體結(jié)構(gòu)Hexagonal
晶格參數(shù)a=b=3.85827?
c=6.666659?
吸濕性No
解理面No
溶解度 (g/100gH2O)N/A

閃爍性質(zhì)

波長(zhǎng)(最大發(fā)射)(nm)510
波長(zhǎng)范圍 (nm)480-900
衰減時(shí)間5.5
寬禁帶 (eV)4.6-4.8
光輸出(光子/MeV)27000
X射線衰減系數(shù) (cm-1)52 at 70 keV
0.80 at 500 keV
余輝 (%)<0.01
輻射損傷 (%)-3

光譜

GOS emission spectrumGOS Absorption spectrum

GOS相關(guān)的應(yīng)用:

X射線探測(cè) 醫(yī)學(xué)CT

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